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HGT1S2N120CN
零件编号：
HGT1S2N120CN
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
Fairchild Semiconductor
描述：
IGBT NPT 1200V 13A TO-262
封装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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库存 87688
最小 : 157
数量
单价
价格
157
1.91
299.87
规格
  • 零件状态
    Obsolete
  • 安装类型
    Through Hole
  • 最大功率
    104 W
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
  • 供应商器件封装
    TO-262
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    1200 V
  • 集电极电流（Ic）（最大值）
    13 A
  • 输入类型
    Standard
  • IGBT类型
    NPT
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 2.6A
  • 测试条件
    960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
  • 开关能量
    96µJ (on), 355µJ (off)
  • 栅极电荷
    30 nC
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C
    25ns/205ns
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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