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HGT1S15N120C3S
零件编号：
HGT1S15N120C3S
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
Harris Corporation
描述：
IGBT 1200V 35A TO-263AB
封装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF:
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库存 695
最小 : 80
数量
单价
价格
80
3.8
304
规格
  • 零件状态
    Active
  • 安装类型
    Surface Mount
  • 最大功率
    164 W
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供应商器件封装
    TO-263AB
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    1200 V
  • 集电极电流（Ic）（最大值）
    35 A
  • 输入类型
    Standard
  • 电阻匹配比
    -
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    3.5V @ 15V, 15A
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    120 A
  • 栅极电荷
    100 nC
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

数量: {{ val.quantity }}

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