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HGT1S12N60B3D
零件编号：
HGT1S12N60B3D
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
Harris Corporation
描述：
IGBT 600V 27A I2PAK
封装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF:
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库存 400
最小 : 181
数量
单价
价格
181
1.66
300.46
规格
  • 零件状态
    Active
  • 安装类型
    Through Hole
  • 最大功率
    104 W
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
  • 供应商器件封装
    I2PAK (TO-262)
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    600 V
  • 输入类型
    Standard
  • 电阻匹配比
    -
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 12A
  • 测试条件
    480V, 12A, 25Ohm, 15V
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    110 A
  • 开关能量
    304µJ (on), 250µJ (off)
  • 栅极电荷
    78 nC
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C
    26ns/150ns
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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