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GT60N321(Q)
零件编号：
GT60N321(Q)
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
描述：
IGBT 1000V 60A TO-3P
封装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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规格
  • 零件状态
    Obsolete
  • 安装类型
    Through Hole
  • 最大功率
    170 W
  • 工作温度
    150°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-3PL
  • 供应商器件封装
    TO-3P(LH)
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    1000 V
  • 集电极电流（Ic）（最大值）
    60 A
  • 输入类型
    Standard
  • 反向恢复时间
    2.5 µs
  • 电阻匹配比
    -
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    2.8V @ 15V, 60A
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    120 A
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C
    330ns/700ns
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

数量: {{ val.quantity }}

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