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GT50N322A
零件编号：
GT50N322A
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
描述：
IGBT 1000V 50A TO-3P
封装：
Tray
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF:
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库存 9
最小 : 1
数量
单价
价格
1
5.54
5.54
50
2.91
145.5
100
2.66
266
500
2.21
1105
1000
2.19
2190
规格
  • 零件状态
    Active
  • 安装类型
    Through Hole
  • 最大功率
    156 W
  • 工作温度
    150°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-3P-3, SC-65-3
  • 供应商器件封装
    TO-3P(N)
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    1000 V
  • 集电极电流（Ic）（最大值）
    50 A
  • 输入类型
    Standard
  • 反向恢复时间
    800 ns
  • 电阻匹配比
    -
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    2.8V @ 15V, 60A
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    120 A
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

数量: {{ val.quantity }}

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