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GT30N135SRA,S1E
零件编号：
GT30N135SRA,S1E
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
描述：
IGBT 1350V 60A TO-247
封装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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库存 33
最小 : 1
数量
单价
价格
1
4.27
4.27
10
3.24
32.4
30
2.93
87.9
120
2.66
319.2
270
2.55
688.5
510
2.47
1259.7
1020
2.41
2458.2
2520
2.34
5896.8
规格
  • 零件状态
    Active
  • 安装类型
    Through Hole
  • 最大功率
    348 W
  • 工作温度
    175°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-247-3
  • 供应商器件封装
    TO-247
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    1350 V
  • 集电极电流（Ic）（最大值）
    60 A
  • 输入类型
    Standard
  • 电阻匹配比
    -
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    2.6V @ 15V, 60A
  • 测试条件
    300V, 60A, 39Ohm, 15V
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    120 A
  • 开关能量
    -, 1.3mJ (off)
  • 栅极电荷
    270 nC
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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