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GT30J121(Q)
零件编号：
GT30J121(Q)
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
描述：
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
封装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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库存 115
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数量
单价
价格
1
4.24
4.24
10
2.79
27.9
100
1.97
197
500
1.62
810
1000
1.53
1530
规格
  • 零件状态
    Active
  • 安装类型
    Through Hole
  • 最大功率
    170 W
  • 封装 / 外壳
    TO-3P-3, SC-65-3
  • 供应商器件封装
    TO-3P(N)
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    600 V
  • 集电极电流（Ic）（最大值）
    30 A
  • 输入类型
    Standard
  • 电阻匹配比
    -
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    2.45V @ 15V, 30A
  • 测试条件
    300V, 30A, 24Ohm, 15V
  • 开关能量
    1mJ (on), 800µJ (off)
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C
    90ns/300ns
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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