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FII50-12E
零件编号：
FII50-12E
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
IXYS
描述：
IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5
封装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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规格
  • 零件状态
    Obsolete
  • 安装类型
    Through Hole
  • 最大功率
    200 W
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    i4-Pac™-5
  • 供应商器件封装
    ISOPLUS i4-PAC™
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    1200 V
  • 集电极电流（Ic）（最大值）
    50 A
  • 输入类型
    Standard
  • 配置
    Half Bridge
  • 集电极截止电流（最大值）
    400 µA
  • IGBT类型
    NPT
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    2.6V @ 15V, 30A
  • 输入电容（Cies）@ Vce
    2 nF @ 25 V
  • NTC热敏电阻
    No
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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